XANES X射线吸收近边结构（XANES）又称近边X射线吸收精细结构（NEXAFS），北京把孩半是吸收光谱的一种类型。

（d，校长e，f）NH4NiPO4·H2O/Ni泡沫的元素Mapping图、CV曲线、CP曲线;（g）电流密度与质量比容量关系图。放第文献链接：Nickel-basedmaterialsforsupercapacitors（MaterialsToday,2018,DOI:10.1016/j.mattod.2018.11.002）。

镍基材料测试前后，等待的多应注意分析镍的形貌和化学状态。家庭剧讨论了镍基材料的制备和性能改进等重要问题。（2）充分利用每种材料，个悲当多种元素共存于电极材料中，可能诱发物理/化学性质的不均匀性。

控制合成参数和实验条件的关键是在分子或原子水平上，北京把孩半设计与合成所需电极材料。（7）氧化还原反应或循环测试后，校长材料的性质研究，包括结晶、缺陷、形态和表面积没有得到强调。

放第（b）前体SiO2/C的TEM图像。

等待的多分析了协同效应的根本原因。此外，家庭剧基于GaSe的忆阻器同时显示出长期保留（~104s）和高循环耐久性（~5000次循环）。

暴露于空气中一周后，个悲RS行为显著增强，ON/OFF比率达到5.3×105，超低设定和复位电场为~3.3×102V·cm-1。此外，北京把孩半Vg不仅可以调节基于GaSe的FET的传输特性，还可以调节基于GaSe的忆阻器中的VSET和VRESET，这表明可以应用在低功耗和复杂功能的多端子电子器件。

校长（b）存储器的开关耐久性。此外，放第已经报道了一系列2D材料中的各种RS行为，包括氧化石墨烯，过渡金属二硫化物（TMD），六方氮化硼和黑磷。