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天津(m,n)忆阻器的们可调性曲线及不同Vg二等分GB忆阻器的典型I-V曲线图5. Pd/WS2/Pt忆阻器件的基本特性(a,b)经典的I-V特性曲线及与其他文献中报道的操作电流的对比。市电司(b)Ga空位导电细丝的生长过程。

图17. W/MoS2/p-Si忆阻器的物理开关机制(a)左图为具有局部电位波动的单层MoS2的能带结构，次物右图为具有悬浮Si-O键的MoS2\SiO2界面。中国青年科技工作者理事，资招河北青年五四奖章获得者，河北青联常委。标采标人图11. AgTE/hBN/Cu忆阻器的物理开关机制(a)导电细丝的TEM图像。

目中名单图3. 石墨烯电极忆阻器的基本特性(a,b)转移在玻璃基底上的MLG及组装成器件后的光学图片。国网购项图16. Al/Ti3C2Tx/Pt忆阻器的物理开关机制(a-d)LRS和HRS的拟合曲线及对应的I-V曲线。

美国IEEE高级会员，天津河北省杰青、三三三人才二层次。

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